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Tranchée IGBT 650 V/300 A-FS Gen1, P3, GD300FFX65P3S

Tranchée IGBT 650 V/300 A-FS Gen1
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  • GD300FFX65P3S

  • Merry

650 V/300 A IGBT Trench-FS Gen1, P3, GD300FFX65P3S
Emballage : P3
Courant nominal : 300 A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 650 V
Structure du circuit : Sixpack
Poinçon K : Substrats plats


Caractéristiques  :
-  Technologie IGBT à tranchée faible V CE(sat)
-  Capacité de court-circuit de 6 μs
- V CE(sat) avec coefficient de température positif
- Température de jonction maximale 175 o C
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Plaque de base à ailettes en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
-  Boîtier à faible inductance

Applications typiques  :
-  Application automobile
- Véhicule hybride et électrique
- Onduleur pour entraînement moteur

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 650 V/300 A IGBT GD300FFX65P3S IGBT P3 Pack de six Diode de récupération rapide Redresseur

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