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Tranchée IGBT 650 V/800 A-FS Gen1, P4, GD800HTX65P4S

Tranchée IGBT 650 V/800 A-FS Gen1
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  • GD800HTX65P4S

  • Merry

Tranchée IGBT 650 V/800 A-FS Gen1, P4, GD800HTX65P4S
Paquet: P4
Courant nominal: 800A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 650 V
Structure du circuit : Pack de six
Hallmark :Substrats PINFIN


Caractéristiques  :
-  Faible VCE(samedi) Technologie IGBT en tranchée
-  Faibles pertes de commutation
-  Capacité de court-circuit de 6 μs
-VCE(samedi) avec coefficient de température positif
- Température maximale de jonction 175oC
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Plaque de base isolée en cuivre utilisant la technologie DBC
-  Boîtier à faible inductance

Applications typiques  :
-  Véhicule hybride et électrique
- Inverseur pour entraînement moteur
- Alimentation sans interruption

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 650 V/800 A IGBT GD800HTX65P4S IGBT P4 Pack de six Diode de récupération rapide Redresseur

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