État de disponibilité: | |
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GD560HTX75P7HN
Merry
750 V/560 A IGBT Trench-FS Gen1, P7, GD560HTX75P7HN
Emballage : P7
Courant nominal : 560
A Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 750 V
Structure du circuit : Sixpack
Poinçon k : Nom
Caractéristiques :
- Technologie IGBT à tranchée Low V CE(sat)
- Faibles pertes de commutation
- Capacité de court-circuit de 6 μs
- V CE(sat) avec coefficient de température positif
- Température de jonction maximale 175 o C
- Récupération inverse rapide et douce FWD anti-parallèle
- Plaque de base à ailettes en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
- Boîtier à faible inductance
Applications typiques :
- Application automobile
- Véhicule hybride et électrique
- Onduleur pour entraînement moteur
des substrats PINFIN 1
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
750 V/560 A IGBT Trench-FS Gen1, P7, GD560HTX75P7HN
Emballage : P7
Courant nominal : 560
A Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 750 V
Structure du circuit : Sixpack
Poinçon k : Nom
Caractéristiques :
- Technologie IGBT à tranchée Low V CE(sat)
- Faibles pertes de commutation
- Capacité de court-circuit de 6 μs
- V CE(sat) avec coefficient de température positif
- Température de jonction maximale 175 o C
- Récupération inverse rapide et douce FWD anti-parallèle
- Plaque de base à ailettes en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
- Boîtier à faible inductance
Applications typiques :
- Application automobile
- Véhicule hybride et électrique
- Onduleur pour entraînement moteur
des substrats PINFIN 1
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2