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Tranchée demi-pont 1 700 V/450 A-FS Gen1 IGBT, C6.1, GD450HFX170C6SA

IGBT en tranchée demi-pont 1 700 V/450 A FS Gen1
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  • GD450HFX170C6SA

  • Merry

Tranchée demi-pont 1 700 V/450 A-FS Gen1 IGBT, C6.1, GD450HFX170C6SA
Paquet:C6.1
Courant nominal: 450A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale: 1700 V
Structure du Circuit : demi-pont
Poinçon : substrats plats

Caractéristiques  :
-  Faible VCE(samedi) Technologie IGBT en tranchée
- Capacité de court-circuit de 10 μs
-VCE(samedi) avec coefficient de température positif
- Température maximale de jonction 175oC
- Boîtier à faible inductance
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications typiques  :
-  Onduleur pour entraînement moteur
- Amplificateur de servomoteur AC et DC
- Alimentation sans interruption

GD450HFX170C6SANom1

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K7B-A5

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT en tranchée demi-pont 1 700 V/450 A FS Gen1 GD450HFX170C6SA IGBT C6.1 IGBT Demi-pont Diode de récupération rapide Redresseur

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