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Tranchée demi-pont 750 V/660 A-FS Gen2 IGBT, N5, GD660HFA75N5HY_B29

Tranchée demi-pont 750 V/660 A-FS Gen2 IGBT, N5, GD660HFA75N5HY_B29
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  • GD660HFA75N5HY_B29

  • Merry

Tranchée demi-pont 750 V/660 A-FS Gen2 IGBT, N5, GD660HFA75N5HY_B29
Paquet: N5
Courant nominal: 660A
Type de puce : Trench-FS Gen2
Tension nominale : 750 V.
Structure du Circuit : demi-pont
Poinçonner:Moulage par injection, substrats PINFIN

Caractéristiques  :
-  Faible VCE(samedi) Technologie IGBT en tranchée
-  Faibles pertes de commutation
- Capacité de court-circuit de 6 μs
-VCE(samedi) avec coefficient de température positif
- Température maximale de jonction 175oC
-Boîtier à faible inductance
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Plaque de base pinfin en cuivre isolée utilisant Si3N4 Technologie AMB

Applications typiques  :
-  Application automobile
- Véhicule hybride et électrique
- Inverseur pour entraînement moteur

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT en tranchée demi-pont 750 V/660 A FS Gen2 GD660HFA75N5HY_B29 IGBT IGBT N5 Demi-pont Diode de récupération rapide Redresseur

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