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HCS65R640ST
Semihow
Nom du produit :
MOSFET à super jonction canal N 650 V HCS65R640ST TO-220FT
Description du produit:
Caractéristiques:
• FOM très faible (RDS(on) XQg)
• Perte de commutation extrêmement faible
• Excellente stabilité et uniformité
• Testé à 100 % contre les avalanches
• Diode ESD intégrée
Application:
• Alimentation à découpage (SMPS)
• Correction du facteur de puissance (PFC)
• Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED
• Convertisseurs AC vers DC
• Télécom
Présentation du MOSFET à super jonction canal N 650 V HCS65R640ST TO-220FT, un composant électronique de pointe conçu pour offrir des performances exceptionnelles en matière de commutation et d'amplification de signal.
Avec une tension nominale de 650 V, ce MOSFET est conçu pour gérer les applications haute puissance avec la plus grande fiabilité.Sa configuration N-Channel assure un contrôle efficace du signal, ce qui en fait un choix idéal pour divers circuits et systèmes électroniques.
Conçu avec la technologie avancée Super Junction, ce MOSFET offre des caractéristiques de commutation supérieures et une résistance à l'état passant réduite, ce qui se traduit par une efficacité améliorée et une dissipation de puissance réduite.Cela se traduit par une amélioration des performances globales du système et des économies d’énergie.
Le boîtier TO-220FT offre une excellente conductivité thermique, permettant une dissipation thermique efficace et garantissant le fonctionnement du MOSFET dans des plages de température optimales.Cet emballage robuste améliore également la durabilité du composant, le rendant ainsi adapté aux environnements industriels exigeants.
Que vous ayez besoin de commuter ou d'amplifier des signaux électroniques, le MOSFET à super jonction canal N 650 V Le HCS65R640ST TO-220FT est le choix idéal pour les professionnels à la recherche de composants fiables et performants.Faites confiance à sa qualité exceptionnelle et libérez tout le potentiel de vos conceptions électroniques.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET à super jonction canal N 650 V HCS65R640ST TO-220FT
Description du produit:
Caractéristiques:
• FOM très faible (RDS(on) XQg)
• Perte de commutation extrêmement faible
• Excellente stabilité et uniformité
• Testé à 100 % contre les avalanches
• Diode ESD intégrée
Application:
• Alimentation à découpage (SMPS)
• Correction du facteur de puissance (PFC)
• Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED
• Convertisseurs AC vers DC
• Télécom
Présentation du MOSFET à super jonction canal N 650 V HCS65R640ST TO-220FT, un composant électronique de pointe conçu pour offrir des performances exceptionnelles en matière de commutation et d'amplification de signal.
Avec une tension nominale de 650 V, ce MOSFET est conçu pour gérer les applications haute puissance avec la plus grande fiabilité.Sa configuration N-Channel assure un contrôle efficace du signal, ce qui en fait un choix idéal pour divers circuits et systèmes électroniques.
Conçu avec la technologie avancée Super Junction, ce MOSFET offre des caractéristiques de commutation supérieures et une résistance à l'état passant réduite, ce qui se traduit par une efficacité améliorée et une dissipation de puissance réduite.Cela se traduit par une amélioration des performances globales du système et des économies d’énergie.
Le boîtier TO-220FT offre une excellente conductivité thermique, permettant une dissipation thermique efficace et garantissant le fonctionnement du MOSFET dans des plages de température optimales.Cet emballage robuste améliore également la durabilité du composant, le rendant ainsi adapté aux environnements industriels exigeants.
Que vous ayez besoin de commuter ou d'amplifier des signaux électroniques, le MOSFET à super jonction canal N 650 V Le HCS65R640ST TO-220FT est le choix idéal pour les professionnels à la recherche de composants fiables et performants.Faites confiance à sa qualité exceptionnelle et libérez tout le potentiel de vos conceptions électroniques.
Spécifications du produit:
