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HCD80R1K4
Semihow
Nom du produit :
MOSFET à super jonction canal N 800 V HCD80R1K4 D-PAK
Description du produit:
Caractéristiques:
• FOM très faible (RDS(on) XQg)
• Perte de commutation extrêmement faible
• Excellente stabilité et uniformité
• Testé à 100 % contre les avalanches
• Diode ESD intégrée
Applications:
• Alimentation à découpage (SMPS)
• Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED
• Convertisseurs AC vers DC
Présentation du MOSFET à super jonction canal N 8 000 V HCD80R1K4 D-PAK.Ce composant électronique haute performance est conçu pour répondre à vos besoins de commutation et d'amplification avec la plus grande précision et fiabilité.
Avec une tension nominale de 800 V, ce MOSFET à super jonction à canal N est conçu pour gérer une large gamme de signaux électroniques avec une efficacité exceptionnelle.Que vous ayez besoin de capacités de commutation précises ou d'une amplification de signal supérieure, ce produit est conçu pour offrir des performances optimales.
Le package HCD80R1K4 D-PAK garantit une installation facile et des connexions sécurisées, ce qui le rend adapté à diverses applications dans des secteurs tels que les télécommunications, les alimentations électriques et l'automatisation industrielle.
Fabriqué avec une attention méticuleuse aux détails, ce MOSFET garantit un contrôle exceptionnel du signal et des pertes de puissance minimales.Sa conception avancée garantit une commutation à grande vitesse et une faible résistance à l'état passant, ce qui se traduit par une efficacité améliorée du système et une dissipation thermique réduite.
Faites confiance au professionnalisme et à la fiabilité du MOSFET à super jonction à canal N 800 V HCD80R1K4 D-PAK pour répondre à vos exigences de commutation et d'amplification de signaux électroniques.Choisissez ce produit pour des performances supérieures et une intégration transparente dans vos systèmes électroniques.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET à super jonction canal N 800 V HCD80R1K4 D-PAK
Description du produit:
Caractéristiques:
• FOM très faible (RDS(on) XQg)
• Perte de commutation extrêmement faible
• Excellente stabilité et uniformité
• Testé à 100 % contre les avalanches
• Diode ESD intégrée
Applications:
• Alimentation à découpage (SMPS)
• Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED
• Convertisseurs AC vers DC
Présentation du MOSFET à super jonction canal N 8 000 V HCD80R1K4 D-PAK.Ce composant électronique haute performance est conçu pour répondre à vos besoins de commutation et d'amplification avec la plus grande précision et fiabilité.
Avec une tension nominale de 800 V, ce MOSFET à super jonction à canal N est conçu pour gérer une large gamme de signaux électroniques avec une efficacité exceptionnelle.Que vous ayez besoin de capacités de commutation précises ou d'une amplification de signal supérieure, ce produit est conçu pour offrir des performances optimales.
Le package HCD80R1K4 D-PAK garantit une installation facile et des connexions sécurisées, ce qui le rend adapté à diverses applications dans des secteurs tels que les télécommunications, les alimentations électriques et l'automatisation industrielle.
Fabriqué avec une attention méticuleuse aux détails, ce MOSFET garantit un contrôle exceptionnel du signal et des pertes de puissance minimales.Sa conception avancée garantit une commutation à grande vitesse et une faible résistance à l'état passant, ce qui se traduit par une efficacité améliorée du système et une dissipation thermique réduite.
Faites confiance au professionnalisme et à la fiabilité du MOSFET à super jonction à canal N 800 V HCD80R1K4 D-PAK pour répondre à vos exigences de commutation et d'amplification de signaux électroniques.Choisissez ce produit pour des performances supérieures et une intégration transparente dans vos systèmes électroniques.
Spécifications du produit:
