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HCFL80R250
Semihow
Nom du produit :
MOSFET à super jonction canal N 800 V HCFL80R250 DFN8x8
Description du produit:
Caractéristiques:
• FOM très faible (RDS(on) X Qg )
• Perte de commutation extrêmement faible
• Excellente stabilité et uniformité
• 100 % testé contre les avalanches
• Diode ESD intégrée
Applications:
• Alimentation à découpage (SMPS)
• Alimentation sans coupure (UPS)
• Correction du facteur de puissance (PFC)
• Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED
• Convertisseurs CA vers CC
• Télécom
Présentation du MOSFET à super jonction à canal N 800 V HCFL80R250 DFN8x8 - un composant électronique haut de gamme conçu pour offrir des performances exceptionnelles.
Ce MOSFET est spécialement conçu pour commuter ou amplifier des signaux électroniques avec la plus grande précision et efficacité.Sa technologie de pointe permet une intégration transparente dans diverses applications, garantissant une fonctionnalité et une fiabilité optimales.
Avec une tension nominale de 800 V, ce MOSFET garantit des performances robustes même dans les circuits haute puissance.
Le boîtier DFN8x8 offre un montage et une gestion thermique pratiques, garantissant des performances constantes dans des conditions exigeantes.Sa construction de qualité professionnelle garantit une durabilité durable, offrant une tranquillité d'esprit aux utilisateurs.
Que vous travailliez sur des applications d'automatisation industrielle, de commande de moteur ou d'alimentation électrique, le MOSFET Super Junction 800 V HCFL80R250 DFN8x8 est votre choix idéal.Faites confiance à ce composant de haute qualité pour fournir des résultats exceptionnels, vous permettant d'obtenir un contrôle supérieur du signal électronique.
Choisissez la fiabilité, la précision et l'efficacité : choisissez le MOSFET Super Junction 800 V HCFL80R250 DFN8x8 pour vos besoins de commutation et d'amplification de signaux électroniques.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET à super jonction canal N 800 V HCFL80R250 DFN8x8
Description du produit:
Caractéristiques:
• FOM très faible (RDS(on) X Qg )
• Perte de commutation extrêmement faible
• Excellente stabilité et uniformité
• 100 % testé contre les avalanches
• Diode ESD intégrée
Applications:
• Alimentation à découpage (SMPS)
• Alimentation sans coupure (UPS)
• Correction du facteur de puissance (PFC)
• Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED
• Convertisseurs CA vers CC
• Télécom
Présentation du MOSFET à super jonction à canal N 800 V HCFL80R250 DFN8x8 - un composant électronique haut de gamme conçu pour offrir des performances exceptionnelles.
Ce MOSFET est spécialement conçu pour commuter ou amplifier des signaux électroniques avec la plus grande précision et efficacité.Sa technologie de pointe permet une intégration transparente dans diverses applications, garantissant une fonctionnalité et une fiabilité optimales.
Avec une tension nominale de 800 V, ce MOSFET garantit des performances robustes même dans les circuits haute puissance.
Le boîtier DFN8x8 offre un montage et une gestion thermique pratiques, garantissant des performances constantes dans des conditions exigeantes.Sa construction de qualité professionnelle garantit une durabilité durable, offrant une tranquillité d'esprit aux utilisateurs.
Que vous travailliez sur des applications d'automatisation industrielle, de commande de moteur ou d'alimentation électrique, le MOSFET Super Junction 800 V HCFL80R250 DFN8x8 est votre choix idéal.Faites confiance à ce composant de haute qualité pour fournir des résultats exceptionnels, vous permettant d'obtenir un contrôle supérieur du signal électronique.
Choisissez la fiabilité, la précision et l'efficacité : choisissez le MOSFET Super Junction 800 V HCFL80R250 DFN8x8 pour vos besoins de commutation et d'amplification de signaux électroniques.
Spécifications du produit:
