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HCS80R670S
Semihow
Nom du produit :
MOSFET à super jonction canal N 800 V HCS80R670S TO-220FS
Description du produit:
Caractéristiques:
• Très faible : w FOM (RDS(on) XQg)
• Perte de commutation extrêmement faible
• Excellente stabilité et uniformité
• Testé à 100 % contre les avalanches
• Diode ESD intégrée
Applications:
• Alimentation à découpage (SMPS)
• Alimentation sans interruption (UPS)
• Correction du facteur de puissance (PFC)
• Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED
• Convertisseurs AC vers DC
• Télécom
Présentation du MOSFET à super jonction à canal N 800 V HCS80R670S TO-220FS, un composant électronique de pointe conçu pour commuter ou amplifier efficacement les signaux électroniques.
Ce MOSFET de qualité professionnelle offre une tension nominale de 800 V, garantissant des performances fiables dans une large gamme d'applications.Sa conception à canal N améliore sa capacité à gérer des courants élevés et à offrir une efficacité énergétique supérieure.
La technologie Super Junction incorporée dans ce MOSFET permet une vitesse de commutation améliorée et une réduction des pertes de puissance, ce qui en fait un choix idéal pour les circuits électroniques exigeants.
Avec son boîtier TO-220FS, ce MOSFET est facile à installer et offre d'excellentes performances thermiques, garantissant un fonctionnement fiable même dans des conditions de température élevée.
Que vous travailliez sur des alimentations électriques, des systèmes de commande de moteur ou des amplificateurs audio, le MOSFET à super jonction à canal N 800 V HCS80R670S Le TO-220FS est le choix idéal pour les professionnels recherchant des composants électroniques hautes performances.Investissez dans ce MOSFET fiable et efficace pour élever vos conceptions électroniques vers de nouveaux sommets.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET à super jonction canal N 800 V HCS80R670S TO-220FS
Description du produit:
Caractéristiques:
• Très faible : w FOM (RDS(on) XQg)
• Perte de commutation extrêmement faible
• Excellente stabilité et uniformité
• Testé à 100 % contre les avalanches
• Diode ESD intégrée
Applications:
• Alimentation à découpage (SMPS)
• Alimentation sans interruption (UPS)
• Correction du facteur de puissance (PFC)
• Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED
• Convertisseurs AC vers DC
• Télécom
Présentation du MOSFET à super jonction à canal N 800 V HCS80R670S TO-220FS, un composant électronique de pointe conçu pour commuter ou amplifier efficacement les signaux électroniques.
Ce MOSFET de qualité professionnelle offre une tension nominale de 800 V, garantissant des performances fiables dans une large gamme d'applications.Sa conception à canal N améliore sa capacité à gérer des courants élevés et à offrir une efficacité énergétique supérieure.
La technologie Super Junction incorporée dans ce MOSFET permet une vitesse de commutation améliorée et une réduction des pertes de puissance, ce qui en fait un choix idéal pour les circuits électroniques exigeants.
Avec son boîtier TO-220FS, ce MOSFET est facile à installer et offre d'excellentes performances thermiques, garantissant un fonctionnement fiable même dans des conditions de température élevée.
Que vous travailliez sur des alimentations électriques, des systèmes de commande de moteur ou des amplificateurs audio, le MOSFET à super jonction à canal N 800 V HCS80R670S Le TO-220FS est le choix idéal pour les professionnels recherchant des composants électroniques hautes performances.Investissez dans ce MOSFET fiable et efficace pour élever vos conceptions électroniques vers de nouveaux sommets.
Spécifications du produit:
