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WMJ80N65C4
Wayon
Nom du produit :
MOSFET de puissance à super jonction 650V 0,033Ω WMJ80N65C4 TO-247
Description du produit:
Description:
WMOSTM C4 est la famille de MOSFET à superjonction de 4e génération de Wayon qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une résistance à l'état passant extrêmement faible et de faibles performances de charge de grille.Le WMJ80N65C4 convient aux applications qui nécessitent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
Caractéristiques:
*Vds=700v@Tj,max
*Typ.Rds (activé) = 0,033 Ω
*100 % testé par l'ISU
*Placage sans Pb, sans halogène
Applications:
Éclairage LED, Chargeur, Adaptateur, PC, TV LCD, Serveur
Présentation du MOSFET de puissance Super Junction 650 V 0,033 Ω WMJ80N65C4 TO-247, un composant électronique de pointe conçu pour commuter ou amplifier efficacement les signaux électroniques.Avec ses performances de qualité professionnelle et sa technologie avancée, ce MOSFET de puissance est le choix idéal pour une large gamme d'applications.
Doté d'une tension nominale de 650 V, ce MOSFET de puissance garantit un fonctionnement fiable même dans les circuits à haute puissance.Sa faible résistance à l'état passant de 0,033 Ω minimise la dissipation de puissance et améliore l'efficacité globale du système.Cela se traduit par une consommation d’énergie réduite et des performances améliorées, ce qui en fait une solution idéale pour les applications d’électronique de puissance.
La technologie Super Junction utilisée dans ce MOSFET permet des vitesses de commutation plus rapides, permettant une amplification transparente du signal et un contrôle précis.Cela garantit une transmission précise du signal et améliore considérablement les performances des appareils ou systèmes électroniques.
Conçu dans un boîtier TO-247, ce MOSFET de puissance offre d'excellentes performances thermiques et robustesse.Le boîtier TO-247 permet une dissipation efficace de la chaleur, évitant ainsi la surchauffe et garantissant une fiabilité à long terme.Cela le rend adapté aux environnements exigeants et aux applications où une gestion de puissance élevée est requise.
En résumé, le MOSFET de puissance Super Junction 650 V 0,033 Ω WMJ80N65C4 TO-247 est un composant électronique de qualité professionnelle qui excelle dans la commutation et l'amplification des signaux électroniques.Sa haute tension nominale, sa faible résistance à l'état passant et sa technologie avancée Super Junction en font un choix exceptionnel pour les applications d'électronique de puissance.Faites confiance à ses performances fiables et profitez d’une efficacité accrue de vos systèmes électroniques.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET de puissance à super jonction 650V 0,033Ω WMJ80N65C4 TO-247
Description du produit:
Description:
WMOSTM C4 est la famille de MOSFET à superjonction de 4e génération de Wayon qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une résistance à l'état passant extrêmement faible et de faibles performances de charge de grille.Le WMJ80N65C4 convient aux applications qui nécessitent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
Caractéristiques:
*Vds=700v@Tj,max
*Typ.Rds (activé) = 0,033 Ω
*100 % testé par l'ISU
*Placage sans Pb, sans halogène
Applications:
Éclairage LED, Chargeur, Adaptateur, PC, TV LCD, Serveur
Présentation du MOSFET de puissance Super Junction 650 V 0,033 Ω WMJ80N65C4 TO-247, un composant électronique de pointe conçu pour commuter ou amplifier efficacement les signaux électroniques.Avec ses performances de qualité professionnelle et sa technologie avancée, ce MOSFET de puissance est le choix idéal pour une large gamme d'applications.
Doté d'une tension nominale de 650 V, ce MOSFET de puissance garantit un fonctionnement fiable même dans les circuits à haute puissance.Sa faible résistance à l'état passant de 0,033 Ω minimise la dissipation de puissance et améliore l'efficacité globale du système.Cela se traduit par une consommation d’énergie réduite et des performances améliorées, ce qui en fait une solution idéale pour les applications d’électronique de puissance.
La technologie Super Junction utilisée dans ce MOSFET permet des vitesses de commutation plus rapides, permettant une amplification transparente du signal et un contrôle précis.Cela garantit une transmission précise du signal et améliore considérablement les performances des appareils ou systèmes électroniques.
Conçu dans un boîtier TO-247, ce MOSFET de puissance offre d'excellentes performances thermiques et robustesse.Le boîtier TO-247 permet une dissipation efficace de la chaleur, évitant ainsi la surchauffe et garantissant une fiabilité à long terme.Cela le rend adapté aux environnements exigeants et aux applications où une gestion de puissance élevée est requise.
En résumé, le MOSFET de puissance Super Junction 650 V 0,033 Ω WMJ80N65C4 TO-247 est un composant électronique de qualité professionnelle qui excelle dans la commutation et l'amplification des signaux électroniques.Sa haute tension nominale, sa faible résistance à l'état passant et sa technologie avancée Super Junction en font un choix exceptionnel pour les applications d'électronique de puissance.Faites confiance à ses performances fiables et profitez d’une efficacité accrue de vos systèmes électroniques.
Spécifications du produit:
