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IRLML2402
Description du produit
Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium.Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste du dispositif pour laquelle les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, offre au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Une grille de connexion personnalisée a été intégrée au boîtier standard SOT-23 pour produire un PowerMOSFET HEXFET avec le plus petit encombrement de l'industrie.Ce boîtier, baptisé Micro3, est idéal pour les applications où l'espace sur les circuits imprimés est limité.Le profil bas (<1,1 mm) du Micro3 lui permet de s'intégrer facilement dans des environnements d'application extrêmement fins tels que les appareils électroniques portables et les cartes PCMCIA.
Caractéristiques
Technologie de génération V
Résistance à l'activation ultra faible
MOSFET à canal N
Empreinte SOT-23
Profil bas (<1,1 mm)
Disponible en bande et en bobine
Commutation rapide
Sans plomb
Conforme RoHS, sans halogène
Fiche de données
Description du produit
Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium.Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste du dispositif pour laquelle les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, offre au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Une grille de connexion personnalisée a été intégrée au boîtier standard SOT-23 pour produire un PowerMOSFET HEXFET avec le plus petit encombrement de l'industrie.Ce boîtier, baptisé Micro3, est idéal pour les applications où l'espace sur les circuits imprimés est limité.Le profil bas (<1,1 mm) du Micro3 lui permet de s'intégrer facilement dans des environnements d'application extrêmement fins tels que les appareils électroniques portables et les cartes PCMCIA.
Caractéristiques
Technologie de génération V
Résistance à l'activation ultra faible
MOSFET à canal N
Empreinte SOT-23
Profil bas (<1,1 mm)
Disponible en bande et en bobine
Commutation rapide
Sans plomb
Conforme RoHS, sans halogène
Fiche de données
