État de disponibilité: | |
---|---|
YJD055P10A
Merry
-Transistor à effet de champ en mode d'amélioration du canal P -100 V -28 A, TO-252, YJD055P10A
Résumé du produit :
- VDS -100V
- JED -28A
-RDS(ON)(à VGS=-10V) <55mΩ
-RDS(ON)(à VGS=-4,5 V) <64 mΩ
- 100 % testé EAS
- 100 % ▽VDS Testé
Description générale :
- Technologie MOSFET de puissance de tranchée
- Faible RDS (on) et FOM
- Perte de commutation extrêmement faible
- Excellente stabilité et uniformité
- Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)
- Sensibilité à l'humidité niveau 1
- L'époxy répond à l'indice d'inflammabilité UL 94 V-0 Sans halogène
- Sans halogène
Applications :
- Gestion de l'alimentation
- Équipement portatif
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
-Transistor à effet de champ en mode d'amélioration du canal P -100 V -28 A, TO-252, YJD055P10A
Résumé du produit :
- VDS -100V
- JED -28A
-RDS(ON)(à VGS=-10V) <55mΩ
-RDS(ON)(à VGS=-4,5 V) <64 mΩ
- 100 % testé EAS
- 100 % ▽VDS Testé
Description générale :
- Technologie MOSFET de puissance de tranchée
- Faible RDS (on) et FOM
- Perte de commutation extrêmement faible
- Excellente stabilité et uniformité
- Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)
- Sensibilité à l'humidité niveau 1
- L'époxy répond à l'indice d'inflammabilité UL 94 V-0 Sans halogène
- Sans halogène
Applications :
- Gestion de l'alimentation
- Équipement portatif
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2