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Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N 100 V 42 A, TO-252, YJD017G10AHQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration du canal N 100 V 42 A
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  • YJD017G10AHQ

  • Merry

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N 100 V 42 A, TO-252, YJD017G10AHQ

Résumé du produit  :
-  VDS 100V
- JED 42A
-RDS(ON)(à VGS=10V) <17mΩ
-RDS(ON)(à VGS=4,5V) <22mΩ
- 100 % testé EAS
- 100 % ▽VDS Testé

Description générale  :
-  Excellent emballage pour la dissipation thermique
- Conception de cellules haute densité pour un faible RDS (ON)
- Sensibilité à l'humidité niveau 1
- L'époxy répond à l'indice d'inflammabilité UL 94 V-0  Sans halogène
- Réf. avec le suffixe « Q » signifie qualifié AEC-Q101

Applications  :
-  Application de commutation de puissance
- Alimentation sans interruption
- Convertisseur DC-DC
- Systèmes automobiles 12 V, 24 V et 48 V

YJD017G10AHQNom1

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
Transistor à canal N 100 V 42 A TO-252 Transistors Transistors YJD017G10AHQ Diode haute tension 500kv Diode de récupération rapide MT200DT-L2

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