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IRLML6302
Description
Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une zone de persilicium à résistance extrêmement faible.Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Une grille de connexion personnalisée a été incorporée dans le boîtier standard SOT-23 pour produire un MOSFET de puissance HEXFET avec la plus petite empreinte au sol de l'industrie.Ce package, baptisé Micro3, est idéal pour les applications où l'espace sur les cartes de circuits imprimés est limité.Le profil bas (<1,1 mm) du Micro3 lui permet de s'intégrer facilement dans des environnements d'application extrêmement fins tels que les appareils électroniques portables et les cartes PCMClA.
Caractéristiques
Technologie de génération V
Résistance à l'activation ultra faible
MOSFET canal P
Empreinte SOT-23
Profil bas (<1,1 mm)
Disponible en bande et en bobine
Commutation rapide
Sans plomb
Conforme RoHS, sans halogène
Description
Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une zone de persilicium à résistance extrêmement faible.Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Une grille de connexion personnalisée a été incorporée dans le boîtier standard SOT-23 pour produire un MOSFET de puissance HEXFET avec la plus petite empreinte au sol de l'industrie.Ce package, baptisé Micro3, est idéal pour les applications où l'espace sur les cartes de circuits imprimés est limité.Le profil bas (<1,1 mm) du Micro3 lui permet de s'intégrer facilement dans des environnements d'application extrêmement fins tels que les appareils électroniques portables et les cartes PCMClA.
Caractéristiques
Technologie de génération V
Résistance à l'activation ultra faible
MOSFET canal P
Empreinte SOT-23
Profil bas (<1,1 mm)
Disponible en bande et en bobine
Commutation rapide
Sans plomb
Conforme RoHS, sans halogène
