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IRLML6401PBF
Description
Ces MOSFET à canal P d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et au dispositif robuste pour lequel les MOSFET de puissance HEXFET® sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour utilisation dans la gestion de la batterie et de la charge. Un cadre de connexion à grand tampon thermiquement amélioré a été incorporé dans le boîtier SOT-23 standard pour produire un MOSFET de puissance HEXFET avec le plus petit encombrement de l'industrie.Ce package, baptisé Micro3m, est idéal pour les applications où l'espace sur les circuits imprimés est limité.Le profil bas (<1,1 mm) du Micro3 lui permet de s'intégrer facilement dans des environnements d'application extrêmement fins tels que les appareils électroniques portables et les cartes PCMClA.La résistance thermique et la dissipation de puissance sont les meilleures disponibles.
Caractéristiques
Résistance à l'activation ultra faible
MOSFET canal P
Empreinte SOT-23
Profil bas (<1,1 mm)
Disponible en bande et en bobine
Commutation rapide
Porte de 1,8 V
Sans plomb
Conforme RoHS, sans halogène
Description
Ces MOSFET à canal P d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et au dispositif robuste pour lequel les MOSFET de puissance HEXFET® sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour utilisation dans la gestion de la batterie et de la charge. Un cadre de connexion à grand tampon thermiquement amélioré a été incorporé dans le boîtier SOT-23 standard pour produire un MOSFET de puissance HEXFET avec le plus petit encombrement de l'industrie.Ce package, baptisé Micro3m, est idéal pour les applications où l'espace sur les circuits imprimés est limité.Le profil bas (<1,1 mm) du Micro3 lui permet de s'intégrer facilement dans des environnements d'application extrêmement fins tels que les appareils électroniques portables et les cartes PCMClA.La résistance thermique et la dissipation de puissance sont les meilleures disponibles.
Caractéristiques
Résistance à l'activation ultra faible
MOSFET canal P
Empreinte SOT-23
Profil bas (<1,1 mm)
Disponible en bande et en bobine
Commutation rapide
Porte de 1,8 V
Sans plomb
Conforme RoHS, sans halogène
