Français 
OMM5N50D1B
Wayon
Nom du produit :
MOSFET de puissance WMO5N50D1B TO-252, 500V, 5A, 1,35Ω, canal N
Description du produit:
Description:
WMOSTM D1 est la famille VDMOS de 1ère génération de Wayon qui réduit considérablement
résistance à l'état passant et charge de grille ultra faible pour les applications nécessitant une densité de puissance élevée
et haute efficacité.Et il est très robuste et conforme RoHS.
Caractéristiques:
Typ.RDS(on)=1,35Ω@VGS=10V
100% testé en avalanche
Sans Pb, sans halogène
Applications:
SMPS
Chargeur
DC-DC
Présentation du MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 A 1,35 Ω WMO5N50D1B TO-252, un composant électronique hautement efficace et polyvalent conçu pour commuter ou amplifier des signaux électroniques.
Ce MOSFET de puissance de qualité professionnelle offre des performances et une fiabilité exceptionnelles, ce qui en fait un choix idéal pour une large gamme d'applications.Avec une tension nominale de 500 V et une intensité nominale de 5 A, il peut facilement gérer les exigences de puissance élevée.
La résistance à l'état passant de 1,35 Ω garantit une perte de puissance minimale et maximise l'efficacité, ce qui entraîne une amélioration des performances globales du système.Que vous ayez besoin de contrôler les niveaux de tension, de réguler le flux de courant ou d'amplifier des signaux, ce MOSFET est à la hauteur.
Conçu avec précision et fabriqué selon les normes les plus élevées, le WMO5N50D1B TO-252 garantit un fonctionnement cohérent et fiable même dans des environnements exigeants.Son boîtier TO-252 offre une excellente dissipation thermique, assurant une gestion optimale de la température et prolongeant la durée de vie du composant.
Faites confiance au professionnalisme et à la qualité du MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 A 1,35 Ω WMO5N50D1B TO-252 pour tous vos besoins de commutation et d'amplification de signaux électroniques.Bénéficiez de performances, d'efficacité et de fiabilité améliorées avec ce MOSFET de puissance exceptionnelle.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET de puissance WMO5N50D1B TO-252, 500V, 5A, 1,35Ω, canal N
Description du produit:
Description:
WMOSTM D1 est la famille VDMOS de 1ère génération de Wayon qui réduit considérablement
résistance à l'état passant et charge de grille ultra faible pour les applications nécessitant une densité de puissance élevée
et haute efficacité.Et il est très robuste et conforme RoHS.
Caractéristiques:
Typ.RDS(on)=1,35Ω@VGS=10V
100% testé en avalanche
Sans Pb, sans halogène
Applications:
SMPS
Chargeur
DC-DC
Présentation du MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 A 1,35 Ω WMO5N50D1B TO-252, un composant électronique hautement efficace et polyvalent conçu pour commuter ou amplifier des signaux électroniques.
Ce MOSFET de puissance de qualité professionnelle offre des performances et une fiabilité exceptionnelles, ce qui en fait un choix idéal pour une large gamme d'applications.Avec une tension nominale de 500 V et une intensité nominale de 5 A, il peut facilement gérer les exigences de puissance élevée.
La résistance à l'état passant de 1,35 Ω garantit une perte de puissance minimale et maximise l'efficacité, ce qui entraîne une amélioration des performances globales du système.Que vous ayez besoin de contrôler les niveaux de tension, de réguler le flux de courant ou d'amplifier des signaux, ce MOSFET est à la hauteur.
Conçu avec précision et fabriqué selon les normes les plus élevées, le WMO5N50D1B TO-252 garantit un fonctionnement cohérent et fiable même dans des environnements exigeants.Son boîtier TO-252 offre une excellente dissipation thermique, assurant une gestion optimale de la température et prolongeant la durée de vie du composant.
Faites confiance au professionnalisme et à la qualité du MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 A 1,35 Ω WMO5N50D1B TO-252 pour tous vos besoins de commutation et d'amplification de signaux électroniques.Bénéficiez de performances, d'efficacité et de fiabilité améliorées avec ce MOSFET de puissance exceptionnelle.
Spécifications du produit:
