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WMB080N10LG2
Wayon
Nom du produit :
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 100 V WMB080N10LG2 PDFN5060-8L
Description du produit:
Description:
WMB080N10LG2 utilise le MOSFET à tranchée de puissance de 2e génération de Wayon
technologie spécialement conçue pour minimiser l'état à l'état passant
résistance tout en conservant des performances de commutation supérieures.Cet appareil
est bien adapté aux applications de commutation rapide à haut rendement.
Caractéristiques:
● VDS = 100 V, ID = 74 A
RDS (activé) < 8 mΩ VGS = 10V
RDS (activé) < 11 mΩ VGS = 4,5 V
● Appareil vert disponible
●100 % EAS garanti
● Optimisé pour une commutation fluide à grande vitesse
Applications:
● Commutateurs de gestion de l'alimentation
●Convertisseurs DC/DC
● Rectification synchrone
Présentation du MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 100 V WMB080N10LG2 PDFN5060-8L.Ce MOSFET de puissance de qualité professionnelle est conçu pour commuter ou amplifier efficacement les signaux électroniques avec la plus grande précision.
Avec une tension nominale de 100 V, ce MOSFET à canal N est capable de gérer facilement les applications haute puissance.Son mode d'amélioration assure une amplification transparente du signal, permettant des performances optimales dans divers circuits électroniques.
Le boîtier WMB080N10LG2 PDFN5060-8L offre une excellente dissipation thermique, garantissant un fonctionnement fiable même dans des conditions exigeantes.Ce MOSFET est conçu pour résister à des températures élevées et maintenir des performances stables sur des périodes prolongées.
Que vous ayez besoin de commuter ou d'amplifier des signaux électroniques, ce MOSFET de puissance est un choix fiable.Sa construction de qualité professionnelle et ses fonctionnalités avancées le rendent adapté à un large éventail d'applications, notamment les alimentations électriques, le contrôle de moteur et l'amplification audio.
Investissez dans le MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 100 V WMB080N10LG2 PDFN5060-8L et bénéficiez d'un contrôle et d'une amplification améliorés du signal comme jamais auparavant.Faites confiance à sa qualité et à ses performances supérieures pour répondre aux besoins de vos circuits électroniques avec la plus grande précision et efficacité.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 100 V WMB080N10LG2 PDFN5060-8L
Description du produit:
Description:
WMB080N10LG2 utilise le MOSFET à tranchée de puissance de 2e génération de Wayon
technologie spécialement conçue pour minimiser l'état à l'état passant
résistance tout en conservant des performances de commutation supérieures.Cet appareil
est bien adapté aux applications de commutation rapide à haut rendement.
Caractéristiques:
● VDS = 100 V, ID = 74 A
RDS (activé) < 8 mΩ VGS = 10V
RDS (activé) < 11 mΩ VGS = 4,5 V
● Appareil vert disponible
●100 % EAS garanti
● Optimisé pour une commutation fluide à grande vitesse
Applications:
● Commutateurs de gestion de l'alimentation
●Convertisseurs DC/DC
● Rectification synchrone
Présentation du MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 100 V WMB080N10LG2 PDFN5060-8L.Ce MOSFET de puissance de qualité professionnelle est conçu pour commuter ou amplifier efficacement les signaux électroniques avec la plus grande précision.
Avec une tension nominale de 100 V, ce MOSFET à canal N est capable de gérer facilement les applications haute puissance.Son mode d'amélioration assure une amplification transparente du signal, permettant des performances optimales dans divers circuits électroniques.
Le boîtier WMB080N10LG2 PDFN5060-8L offre une excellente dissipation thermique, garantissant un fonctionnement fiable même dans des conditions exigeantes.Ce MOSFET est conçu pour résister à des températures élevées et maintenir des performances stables sur des périodes prolongées.
Que vous ayez besoin de commuter ou d'amplifier des signaux électroniques, ce MOSFET de puissance est un choix fiable.Sa construction de qualité professionnelle et ses fonctionnalités avancées le rendent adapté à un large éventail d'applications, notamment les alimentations électriques, le contrôle de moteur et l'amplification audio.
Investissez dans le MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 100 V WMB080N10LG2 PDFN5060-8L et bénéficiez d'un contrôle et d'une amplification améliorés du signal comme jamais auparavant.Faites confiance à sa qualité et à ses performances supérieures pour répondre aux besoins de vos circuits électroniques avec la plus grande précision et efficacité.
Spécifications du produit:
