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WMB017N03LG2
Wayon
Nom du produit :
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 30 V WMB017N03LG2 PDFN5060-8L
Description du produit:
Description:
WMB017N03LG2 utilise le MOSFET à tranchée de puissance de 2e génération de Wayon
technologie spécialement conçue pour minimiser l'état à l'état passant
résistance tout en conservant des performances de commutation supérieures.Cet appareil
est bien adapté aux applications de commutation rapide à haut rendement.
Caractéristiques:
VDS = 30 V, ID = 100 A
RDS (activé) < 1,7 mΩ VGS = 10V
RDS (activé) < 2,5 mΩ VGS = 4,5 V
RDS faible (activé)
Faible charge de porte
100% EAS garanti
Conforme RoHS et sans halogène
Applications:
Gestion de l'alimentation dans les commutateurs
Convertisseur DC/DC
Présentation du MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 30 V WMB017N03LG2 PDFN5060-8L, un composant électronique haute performance conçu pour commuter ou amplifier efficacement les signaux électroniques.
Ce MOSFET de qualité professionnelle offre une fiabilité et des fonctionnalités exceptionnelles, ce qui en fait un choix idéal pour une large gamme d'applications.Avec une tension nominale de 30 V, il peut facilement répondre à diverses exigences d’alimentation.
Équipé de la technologie de mode d'amélioration, ce MOSFET assure une commutation et une amplification transparentes du signal, offrant des performances et une précision optimales.Sa conception N-Channel améliore encore son efficacité et sa fonctionnalité globale.
Le MOSFET WMB017N03LG2 PDFN5060-8L présente un format compact et peu encombrant, ce qui le rend adapté à l'intégration dans des appareils électroniques ou des cartes de circuits imprimés compacts.Sa construction durable garantit des performances durables même dans des environnements exigeants.
Avec ce MOSFET de puissance, vous pouvez aborder en toute confiance des projets qui nécessitent un contrôle ou une amplification précise du signal.Il s'agit d'un composant fiable et polyvalent qui répond aux normes industrielles les plus élevées, garantissant des performances et une longévité exceptionnelles.
Choisissez le MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 30 V WMB017N03LG2 PDFN5060-8L pour vos applications électroniques et découvrez des capacités de commutation et d'amplification de signal inégalées dans un boîtier de qualité professionnelle.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 30 V WMB017N03LG2 PDFN5060-8L
Description du produit:
Description:
WMB017N03LG2 utilise le MOSFET à tranchée de puissance de 2e génération de Wayon
technologie spécialement conçue pour minimiser l'état à l'état passant
résistance tout en conservant des performances de commutation supérieures.Cet appareil
est bien adapté aux applications de commutation rapide à haut rendement.
Caractéristiques:
VDS = 30 V, ID = 100 A
RDS (activé) < 1,7 mΩ VGS = 10V
RDS (activé) < 2,5 mΩ VGS = 4,5 V
RDS faible (activé)
Faible charge de porte
100% EAS garanti
Conforme RoHS et sans halogène
Applications:
Gestion de l'alimentation dans les commutateurs
Convertisseur DC/DC
Présentation du MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 30 V WMB017N03LG2 PDFN5060-8L, un composant électronique haute performance conçu pour commuter ou amplifier efficacement les signaux électroniques.
Ce MOSFET de qualité professionnelle offre une fiabilité et des fonctionnalités exceptionnelles, ce qui en fait un choix idéal pour une large gamme d'applications.Avec une tension nominale de 30 V, il peut facilement répondre à diverses exigences d’alimentation.
Équipé de la technologie de mode d'amélioration, ce MOSFET assure une commutation et une amplification transparentes du signal, offrant des performances et une précision optimales.Sa conception N-Channel améliore encore son efficacité et sa fonctionnalité globale.
Le MOSFET WMB017N03LG2 PDFN5060-8L présente un format compact et peu encombrant, ce qui le rend adapté à l'intégration dans des appareils électroniques ou des cartes de circuits imprimés compacts.Sa construction durable garantit des performances durables même dans des environnements exigeants.
Avec ce MOSFET de puissance, vous pouvez aborder en toute confiance des projets qui nécessitent un contrôle ou une amplification précise du signal.Il s'agit d'un composant fiable et polyvalent qui répond aux normes industrielles les plus élevées, garantissant des performances et une longévité exceptionnelles.
Choisissez le MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 30 V WMB017N03LG2 PDFN5060-8L pour vos applications électroniques et découvrez des capacités de commutation et d'amplification de signal inégalées dans un boîtier de qualité professionnelle.
Spécifications du produit:
