État de disponibilité: | |
---|---|
WMB100N04TS
Wayon
Nom du produit :
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 40 V WMB100N04TS PDFN5060-8L
Description du produit:
Description:
WMB100N04TS utilise une technologie avancée de tranchée de puissance qui a
été spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant et pourtant
maintenir des performances de commutation supérieures
Caractéristiques:
•VDS= 40V, lD= 125A
•RDS(activé)< 3,6 mΩ @ VGS= 10 V
•RDS(activé) < 4,6 mΩ à VGS = 4,5V
• Conception de cellules haute densité
• Faible RDS(activé)
• 100 % EAS garanti
Applications:
• Commutateurs de gestion de l'alimentation
• Convertisseur CC/CC
Présentation du MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 40 V WMB100N04TS PDFN5060-8L, une solution hautement efficace et fiable pour vos besoins de gestion de l'alimentation.Conçu avec la plus grande précision, ce MOSFET de puissance est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en offrant des performances de commutation supérieures.
Grâce à sa technologie avancée, ce MOSFET assure une transmission de puissance optimale, permettant un fonctionnement transparent dans diverses applications.Que vous travailliez sur les alimentations, la commande de moteur ou l'éclairage LED, ce produit garantit des performances exceptionnelles.
Le WMB100N04TS PDFN5060-8L est méticuleusement conçu pour fournir une faible résistance à l'état passant, ce qui entraîne une réduction des pertes de puissance et une amélioration du rendement global.Cela signifie que vous pouvez vous attendre à une puissance maximale sans compromettre les performances.
De plus, ce MOSFET de puissance conserve des capacités de commutation supérieures, permettant des transitions de commutation rapides et précises.Cela garantit un fonctionnement fluide et des performances fiables, même dans les applications à haute fréquence.
Rassurez-vous, ce produit adhère aux normes les plus élevées de l'industrie, garantissant une qualité et une fiabilité exceptionnelles.Il est construit pour résister aux exigences d’environnements rigoureux, ce qui en fait un choix idéal pour les applications commerciales et industrielles.
En résumé, le MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 40 V WMB100N04TS PDFN5060-8L est une solution de qualité professionnelle qui combine une faible résistance à l'état passant avec des performances de commutation supérieures.Bénéficiez d'une gestion de l'énergie améliorée comme jamais auparavant avec ce MOSFET haut de gamme.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 40 V WMB100N04TS PDFN5060-8L
Description du produit:
Description:
WMB100N04TS utilise une technologie avancée de tranchée de puissance qui a
été spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant et pourtant
maintenir des performances de commutation supérieures
Caractéristiques:
•VDS= 40V, lD= 125A
•RDS(activé)< 3,6 mΩ @ VGS= 10 V
•RDS(activé) < 4,6 mΩ à VGS = 4,5V
• Conception de cellules haute densité
• Faible RDS(activé)
• 100 % EAS garanti
Applications:
• Commutateurs de gestion de l'alimentation
• Convertisseur CC/CC
Présentation du MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 40 V WMB100N04TS PDFN5060-8L, une solution hautement efficace et fiable pour vos besoins de gestion de l'alimentation.Conçu avec la plus grande précision, ce MOSFET de puissance est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en offrant des performances de commutation supérieures.
Grâce à sa technologie avancée, ce MOSFET assure une transmission de puissance optimale, permettant un fonctionnement transparent dans diverses applications.Que vous travailliez sur les alimentations, la commande de moteur ou l'éclairage LED, ce produit garantit des performances exceptionnelles.
Le WMB100N04TS PDFN5060-8L est méticuleusement conçu pour fournir une faible résistance à l'état passant, ce qui entraîne une réduction des pertes de puissance et une amélioration du rendement global.Cela signifie que vous pouvez vous attendre à une puissance maximale sans compromettre les performances.
De plus, ce MOSFET de puissance conserve des capacités de commutation supérieures, permettant des transitions de commutation rapides et précises.Cela garantit un fonctionnement fluide et des performances fiables, même dans les applications à haute fréquence.
Rassurez-vous, ce produit adhère aux normes les plus élevées de l'industrie, garantissant une qualité et une fiabilité exceptionnelles.Il est construit pour résister aux exigences d’environnements rigoureux, ce qui en fait un choix idéal pour les applications commerciales et industrielles.
En résumé, le MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 40 V WMB100N04TS PDFN5060-8L est une solution de qualité professionnelle qui combine une faible résistance à l'état passant avec des performances de commutation supérieures.Bénéficiez d'une gestion de l'énergie améliorée comme jamais auparavant avec ce MOSFET haut de gamme.
Spécifications du produit: