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TO-3P 200V 60A Mode d'amélioration du canal N Mosfet de puissance de tranchée IXTQ60N20T

TO-3P 200V 60A Mode d'amélioration du canal N Mosfet de puissance de tranchée IXTQ60N20T
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  • IXTQ60N20T

Caractéristiques
Capacité de gestion de courant élevé
Température de fonctionnement de 175°C
Classement avalanche
Redresseur intrinsèque rapide
RDS faible (activé)

Avantages
Facile à monter
Gains d'espace
Densité de puissance élevée

Applications
Convertisseurs DC-DC
Chargeurs de batterie
Alimentations à découpage et à résonance
Hachoirs CC
Entraînements de moteur à courant alternatif
Alimentations sans interruption
Applications de commutation de puissance à grande vitesse


Photos détaillées


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En vertu d'un: 
MOSFET de puissance Amélioration du canal N Mosfet de puissance de tranchée IXTQ60N20T Transistor Mosfet

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