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Transistor Mosfet SOT-23 MMBF170, mode d'amélioration du canal N 60V

Transistor Mosfet SOT-23 MMBF170, mode d'amélioration du canal N 60V
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  • MMBF170

Description et applications
Ce MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(on)) tout en conservant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.
• Contrôle moteur
• Fonctions de gestion de l'alimentation

Caractéristiques
Faible résistance
• Tension de seuil de grille basse
• Faible capacité d'entrée
• Vitesse de commutation rapide
• Faible fuite d'entrée/sortie
• Totalement sans plomb et entièrement conforme à RoHS
• Sans halogène ni antimoine.

Données mécaniques
• Cas : SOT23 (standard)
• Matériau du boîtier : plastique moulé.Classification d'inflammabilité UL 94V-0
• Sensibilité à l'humidité : niveau 1 selon J-STD-020.
• Bornes : finition en étain mat recuite sur une grille de connexion en alliage 42 (placage sans plomb).Soudable selon MIL-STD-202, méthode 208
• Connexions des bornes : voir le schéma
• Poids : 0,008 gramme (environ)

MMBF170.pdf


MMBF170_页面_1MMBF170_页面_2MMBF170_页面_3MMBF170_页面_4

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Mosfet Transistor Mosfet MOSFET canal N Transistor MMBF170

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