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Transistors de puissance au silicium 8 AMPÈRES 100 VOLTS 20 WATTS MJD122T4G

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  • MJD122T4G

Conçu pour les applications d'amplificateurs à usage général et de commutation à basse vitesse.

Caractéristiques
Plomb formé pour les applications de montage en surface dans des manchons en plastique
Remplacements de montage en surface pour les séries 2N6040−2N6045, TIP120−TIP122 et TIP125−TIP127
Construction monolithique avec résistance shunt base-émetteur intégrée
Gain de courant CC élevé : hFE = 2 500 (Typ) @ IC = 4,0 Adc
L'époxy est conforme à UL 94 V−0 à 0,125 po
Évaluations ESD :
Modèle de corps humain, 3B > 8 000 V
Modèle de machine, C > 400 V
Préfixe NJV pour les applications automobiles et autres applications nécessitant des exigences uniques en matière de changement de site et de contrôle ;Qualifié AEC−Q101 et compatible PPAP
Des forfaits sans plomb sont disponibles*


MJD122T4G.pdf


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Transistor transistor de puissance en silicium Transistor de puissance MJD122T4G

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